- 非IC关键词
企业档案
- 相关证件：
- 会员类型：普通会员
- 朱小姐 微信同号
- 电话：0755-82723761
- 手机：13691861306
- 夏先生 微信同号
- 电话：0755-82772189
- 手机：13652352591
- 地址：深圳市福田区华强北街道赛格科技园3栋东座10楼A2（本公司为一般纳税人,可开增票）
- 传真：0755-82737687
- E-mail：yanzi-zhu@qq.com
产品分类
您的当前位置：深圳市恒达亿科技有限公司 > 元器件产品
询价相关产品
产品信息
全新原装公司现货销售
类别
分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET
包装
管件
零件状态
有源
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
84A（Tc）
驱动电压（ Rds On， Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻
12 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)
4V @ 250μA
Vgs
±20V
FET 功能
-
功率耗散
200W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220AB
封装/外壳
TO-220-3
漏源电压（Vdss）
60 V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)
130 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)）
3210 pF @ 25 V
基本产品编号
IRF1010
分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET
包装
管件
零件状态
有源
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
84A（Tc）
驱动电压（ Rds On， Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻
12 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)
4V @ 250μA
Vgs
±20V
FET 功能
-
功率耗散
200W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220AB
封装/外壳
TO-220-3
漏源电压（Vdss）
60 V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)
130 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)）
3210 pF @ 25 V
基本产品编号
IRF1010